外源硅处理对不同南瓜砧木苗期生长的影响

摘    要：为明确硅对不同南瓜砧木苗期生长的影响，以3种脱黄瓜蜡粉能力不同的南瓜砧木（B04、B07为脱蜡粉材料，B06为不脱蜡粉材料）为试验材料，在人工气候室内采用水培法，设置7个浓度梯度（0、0.3、0.6、0.9、1.2、1.8、2.4 mmol·L^-1）的外源硅（Na₂SiO₃·5H₂O）处理，待幼苗长至4叶1心时进行生长指标和硅含量的测定。结果表明，不脱蜡粉南瓜苗期的生物量和根系的生长势均高于脱蜡粉材料；低于1.2 mmol·L-1的外源硅处理对南瓜苗期的生物量和根系的生长势均起促进作用，其中0.9 mmol·L^-1促进效果最显著；1.8 mmol·L^-1外源硅处理对脱蜡粉材料起抑制作用，对不脱蜡粉材料起促进作用；2.4 mmol·L^-1外源硅处理对3种材料抑制效果显著，但不脱蜡粉材料对高浓度外源硅的耐受性强于脱蜡粉材料。南瓜幼苗地上、地下部的硅含量随外源硅浓度升高而增加，地上部硅含量始终高于地下部，且不脱蜡粉材料硅含量高于脱蜡粉材料。综上所述，外源硅对南瓜幼苗生长的影响表现为低浓度促进、高浓度抑制，不同脱蜡粉能力的南瓜材料对高浓度外源硅处理的耐受性存在差异。